Для определения величины поверхностного заряда, сообщенного фотопроводящему или диэлектрическому слою, обычно электрометром измеряют потенциал данной поверхности относительно его токопроводящей подложки. Таким образом, напряжение Vc, фигурирующее в уравнении (ИЗ), служит мерой заряда, сообщенного нижнему диэлектрическому слою. Этот слой приготавливается либо из фотопроводящего электроизоляционного материала, либо из диэлектрика. Напряжение Vc является функцией поверхностной плотности заряда, толщины слоя и диэлектрической проницаемости материала слоя С помощью уравнения и модифицированной кривой Пашена можно найти условия, необходимые для возникновения разряда, т. е. для переноса зарядов. Величина перенесенного заряда будет зависеть от количества электричества, прошедшего через зазор между поверхностями за время разряда. В процессе разряда на диэлектрических поверхностях накапливаются заряды, создающие в зазоре поле, обратное по знаку полю, созданному приложенным напряжением. Накопление зарядов на поверхности продолжается до тех пор, пока поле в зазоре не уменьшится до некоторой критической величины, при которой разряд не может происходить. Если при этом приложенное напряжение и величина зазора остаются неизменными, процесс переноса заряда прекращается. Априорных сведений о поведении кривой Пашена, на основании которых можно было бы определить точку прекращения разряда, возникшего в результате пробоя воздушного промежутка, пока нет. В работе установлено, что разница между напряжениями в зазоре в начальный и конечный моменты разряда невелика. Расчеты показывают, что величина заряда, переносимого на диэлектрическую поверхность за время одного этапа разряда, составляет -10-9 к/см2. Величина заряда, переносимого за несколько этапов разряда, колеблется в довольно широких пределах. Однако нельзя утверждать, что характеристики этих этапов заметно зависят от приложенного напряжения или величины зазора. Результаты работы были получены при напряжениях, достигавших 9000 в; перенос заряда начинался при напряжении 3000-4000 в. Это значит, что при использовании довольно толстых диэлектриков, например полистирола, имеющего толщину 0,104 см, разряд может происходить при зазоре от 20 до 200 мк. С помощью выражения (119) находим, что при условиях, принятых в работе, перенос заряда величиной 10-9 к/см2 приводит к уменьшению напряжения в зазоре на 20- 150 в. При меньших зазорах AVg будет незначительным. Так, при зазоре 10мк и переносе заряда Ю-9 к/см2 на пленку майлара, имеющую толщину около 50 мк и D = 13 мк, снижение напряжения в зазоре равно -64, в. ?
Читать дальше
Особенность клеток
Можно было проследить последовательность изменений бокаловидных клеток (от клеток с пониженной секреторной активностью до клеток, специфическая функция которых, по-видимому, утрачена). Рядом с клетками, сохранившими отдельные признаки мерцательных клеток (цилиндрическая форма, наличие базальных телец в апикальной части цитоплазмы), располагались бокаловидные, структура которых отражала пониженную секреторную активность. Эти клетки имели цилиндрическую форму, надъядерная часть их цитоплазмы содержит […]
Гематогенное рассеяние микобактерий туберкулеза
Что касается третьего типа гематогенно-диссеминированного туберкулеза с преимущественно внелегочным метастазированием, то здесь речь идет об оседании циркулирующих в крови микобактерий в различных органах, характер и степень поражения которых определяют клиническую картину болезни. Сюда относятся гематогенные метастазы в любые органы, особенно в мочеполовую сферу, в костную систему, кожу, глаза и т. д. При хроническом гематогенном туберкулезе […]
Причины желтухи
Причинами послеоперационной гипертензии могут быть действие лекарственных средств, перегрузка вливаниями жидкости, почечная недостаточность, тиреотоксикоз, феохромоцитома, преэклампсия и задержка в организме углекислоты. Если после операции не возобновили обычную для больного гипотензивную терапию, то возможно развитие гипертензии. Более серьезная гипертензия развивается после операции у больных, получающих ингибиторы моноаминокоидазы (МАО), особенно при взаимодействии последних с прессорными аминами. В […]