В работе сообщается о проверке закона взаимозаместимости для ксерографической пластины из аморфного селена. Пластина освещалась импульсами света от вольфрамовой лампы мощностью 300 вт с нейтральными светофильтрами для изменения интенсивности и измерялось время полуспада начального поверхностного заряда. В промежуточной области кривая почти плоская. Эти результаты несколько отличаются от результатов, сообщенных Фридкиным и Барулиным, которые получили кривые, имеющие плоский участок при малых интенсивностях. Однако при больших интенсивностях они обнаружили также значительное отклонение от взаимозаместимости. Селеновые слои освещались лампой накаливания (2800° С) с нейтральными светофильтрами для изменения интенсивности. Слои заряжались положительно. Данные по взаимозаместимости были получены из кривых спада заряда. Квантовый выход. В ксерографии эффективность падающих фотонов в процессе освещения может быть измерена по рассасыванию заряда. В работе сообщается о полном квантовом выходе, равном 93%, для тонких слоев аморфного селена, находящихся в сильном поле и освещенных светом с длиной волны 400 ммк через подложку из стекла с проводящим покрытием. Полагая потери на отражение за счет подложки равными 5 %, для квантового выхода получаем приблизительно 100% . Это совпадает с наблюдениями по измерениям фотопроводимости. Согласно выводам, сделанным в работе, сильное поле сводит к минимуму влияние ловушек и эффекта рекомбинации, позволяя фотовозбужденным носителям проходить, по существу, всю толщину селенового слоя. Используя данные работы, автор рассчитал квантовые выходы для величины рассасывания заряда и нашел, что они лежат в пределах 90-100% для начальных скоростей разряда при высоких начальных напряжениях. Даже для разряда до половины начального потенциала вычисленные из этих данных квантовые выходы равнялись 60-100%. Подобные же значения были получены в экспериментах на слоях аморфного селена в лаборатории фирмы «Ай-Би-Эм». Эти измерения были сделаны на пленках толщиной 5Q мк, освещавшихся монохроматическим светом с длиной волны, равной 436 ммк. Эти значения гораздо выше значений, полученных в работе, где квантовый выход для нейтрализации заряда равен -25% при длине волны падающего света 400 ммк. Разница может возникнуть из-за выбора величины конечного потенциала, используемой в вычислениях.
Читать дальше
Тканевый детрит
При образовании избыточной мозоли в околосуставной зоне, особенно в области метафизов бедренной кости, в отломках нередко отмечаются морфологические изменения, свойственные ложному суставу, мозоль же в виде футляра окружает место перелома, несколько отступя от краев отломков, которые оказываются заключенными в волокнистую соединительную ткань. Опухоли на месте переломов костей крайне редки и наблюдаются главным образом после огнестрельных […]
Однородные тканевые элементы
Однако если теперь обратимся к самим тканевым элементам нервной системы — к нейронам и нейроглии, а не к межнейронным отношениям, то и здесь рекапитуляционные явления выступают не менее отчетливо. Бросается в глаза далеко идущее соответствие источников, направлений и последовательности дифференцировки тканевых элементов нервной системы в индивидуальном и в историческом развитии животных организмов. И в филогенезе, […]
Голодная остеодистрофия
Пролиферация росткового хряща нарушена; костные балочки в этой зоне тонки, уменьшены в количестве. Отложение костного вещества на хрящевых балках замедляется или прекращается, т. е. резко замедляется или прекращается замена хряща костными структурами. Процессы отложения извести в хрящ и костное вещество не нарушаются, вследствие чего зона предварительного обызвествления расширяется. Костеобразование нарушается и в области диафизов длинных […]